摘要：毫米波技术已经在各种重要技术领域获得瞩目的应用,毫米波半导体元器件成为毫米波系统应用中必不可少的核心部件。在毫米波二端口器件方面,介绍了肖特基势垒二极管、雪崩二极管以及耿氏二极管的技术及其发展,在毫米波三端口器件方面,介绍了高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管的技术及其发展,为国内发展自主的毫米波半导体元器件技术,提供必要的参考依据和研究思路。

摘要：富锂锰基正极材料由于其高理论比容量和较高的工作电压深受人们的青睐,然而循环稳定性差、电压衰减严重和倍率性能差等一系列问题限制了其在锂离子电池中的商业应用。为了改善其电化学性能,利用共沉淀-煅烧法成功制备了不同摩尔量钼元素掺杂的富锂锰基正极材料Li1.2[Mn0.54-xNi0.13Co0.13Mox]O2(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)。钼元素主要取代富锂材料Li1.2[Mn0.54Ni0.13Co0.13]O2结构中的锰位,由XRD衍射结果可知,钼元素的掺杂保持了材料本体的晶体结构。富锂材料经掺杂改性表现出优异的电化学性能,Li1.2[Mn0.51Ni0.13Co0.13Mo0.03]O2在0.5C倍率下循环100圈的放电比容量达到200.6mAh/g,容量保持率为89.27%;Li1.2[Mn0.52Ni0.13Co0.13Mo0.02]O2的首圈库伦效率由74.41%提高到81.47%。这主要是由于钼的掺入抑制了晶格氧的脱出,提高了材料的结构稳定性。电化学阻抗测试也进一步表明钼掺杂可以有效提高材料的导电性和界面电化学反应活性。

摘要：新型材料 MXene(过渡金属二维碳化物,氮化物和碳氮化物)由于其良好的电化学活性而被广泛应用于储能材料。聚吡咯因其具有稳定的导电性而常用作超级电容器材料。通过原位聚合法成功制备 MXene(Ti3C2Tx)和聚吡咯(PPy)复合材料。利用扫描电镜(SEM)和 X射线衍射仪(XRD)对 Ti3C2Tx/PPy复合电极材料进行表征,结果表明 PPy均匀地包覆在Ti3C2Tx表面。这种独特的复合材料展现良好的协同作用,有效提高了电子和离子的传输速率。电化学测试表明:Ti3C2Tx和聚吡咯质量比为2∶1时复合材料表现出最好的电化学性能,当电流密度1-1时,Ti3C2Tx/PPy-2的比电容达到 139F·g^-1,并且拥有较好的倍率性能。结果表明 Ti3C2Tx/PPy复合材料可用于制备超级电容器电极材料。

摘要：采用溶胶-凝胶法制备了CuO掺杂TiO2纳米材料并用于丙酮气敏传感器制备,通过XRD和SEM对样品的物相结构和表面微观形貌进行表征,利用 EDS对样品的元素种类与平面分布进行了分析,研究了CuO掺杂量、工作温度、光激发等对元件气敏性能的影响。结果表明,CuO-TiO2对丙酮表现出良好的选择性,掺杂6.6%(质量分数)CuO的CuO-TiO2,经500℃退火后,在75℃下,对体积分数为1000×10^-6丙酮的灵敏度达到106.71,响应时间和恢复时间均为2s;同时研究还显示光激发可以有效提高元件的气敏性能,紫外光照射下元件对丙酮的灵敏度相比无光条件下增幅95%,而可见光照射下元件对丙酮的灵敏度相比无光条件下仍能增幅50%。

摘要：锆钛酸钡陶瓷由于具有优异的电学性能广泛应用于多层陶瓷电容器(MLCC)等电子元器件。在传统的固相反应制备工艺中,固相反应的烧结温度直接影响着陶瓷的晶体结构、微观形貌和介电性能等。本文采用固相反应法,通过控制不同的烧结温度,制备出一系列的Ba(Zr0.2Ti0.8)O3陶瓷样品。利用 X射线衍射仪、扫描电子显微镜、阻抗分析仪对其晶体结构、微观形貌、介电性能等物理性能进行表征。结果表明烧结温度在1255~1315℃下,X射线衍射图谱显示锆钛酸钡陶瓷样品均为立方相结构,没有出现杂相。当烧结温度为1305℃时,陶瓷样品的结晶最好,密度也最大,相对介电常数达到最大值12295。